| 第１時限 | |||||
| 第２時限 | |||||
| 第３時限 | |||||
| 第４時限 | |||||
| 第５時限 |
| 曜日 | 時間 | 内容 |
| 火曜日 | 12:50〜終わるまで？ | 四年ゼミ 「固体物理学」イバッハ/リュート 八章から |
| 水曜日 | 10:30〜12:00 | 院生ゼミ 研究発表など〜 |
| 日付 | 発表者 | 内容 |
| 10/15 | 石井（Ｄ１） | カゴメ格子の電気伝導性
前回の励起子の話に続き、今回はカゴメ格子の特徴であるフラットバンドが電気伝導に どのような影響を与えるのかについて話して頂きました。 |
| 10/29 | 三上（Ｍ２） | V族窒化物半導体の面極性転換メカニズムの解明
これまでの研究の簡単な紹介とその続きのお話でした。 AlNの極性転換の原因を解明するため計算により求めた全電子密度分布グラフを解説して頂きました。 |
| 11/19 | 井上先生 | 光のアンダーソンモデル
自由空間を伝播する光にとって，誘電体などが作る屈折率分布を「不純 物」としてとらえることにより， 固体における，「ｓ電子のなかに埋め込まれたｄ電子などの不純物準位」と類似の扱いができることを示す． この「誘電体内部に閉じこめられた光の仮想束縛状態と自由伝播する光との結合」という描像が 正当化される領域について，数値計算の結果と比較しながら議論する． |
| 11/26 | 小田（Ｄ１） | 生体高分子研究
半導体表面におけるタンパク質のイオン化による機能変化など、 これからやろうとしている事に関するお話でした。 |
| 12/17 | 板谷（Ｍ１） | シリサイドに関する話
金属とSiの化合物（シリサイド）に関して勉強したことを発表しました。 |
| 1/7 | お休み | |
| 1/13 | 梶田（Ｍ２） | Ab-initio calculation of hole-induced oxygen desorption on rutile TiO2 surfaces TiO2表面における酸素脱離過程に対して、2-hole modelが妥当であることが計算によって示せたというお話を 英語で発表して頂きました。 |
| 1/21 | 板谷（Ｍ１） | Schottky barriers at NiSi2/Si(111) interfaces 論文紹介。Si(111)上にNiSi2を成長させたとき、NiSi2の方向性（Type-A,B）により 界面におけるショットキー障壁の高さが異なるという話です。 |
| 1/28 | 四年生
卒論テーマ発表 |
Si表面を流れる電流を視覚化する（細村）
レーザー発振の相転移（岩田） InNの表面安定構造を調べる（武井） |
| 2/4 | 三上（Ｍ２）
梶田（Ｍ２） |
修論発表予行演習 |
| 2/9 | 修士論文発表会 | ルチル型二酸化チタン表面におけるホールによる酸素欠陥発生過程の研究(梶田)
AlN(0001)表面の極性転換機構に関する第一原理計算(三上) |
| 3/5 | 卒研発表練習 （四年生） |
発表本番前に練習をやりましょう。 |
| 3/8 | 卒業研究発表会 （四年生） |
この日が本番です。 詳しい日程は掲示物を参照のこと。 |
| 3/24 | 石井・小田 （Ｄ１） |
学会発表予行演習 |