| 第１時限 | |||||
| 第２時限 | |||||
| 第３時限 | |||||
| 第４時限 | |||||
| 第５時限 |
| 曜日 | 時間 | 内容 |
| 日付 | 発表者 | 内容 |
| 9/28 | 中田俊司 （ＮＴＴ-通信エネルギー研） |
ナノスケール半導体微細構造における低エネルギー論理回路の研究
極低エネルギー論理処理を実現する為に、量子干渉デバイスや単電子トランジスタといった量子効果デバイスのデバイス動作について紹介をする。また、より一層の低エネルギー化を行う為の手法である、断熱充電可逆論理について紹介をする。 |
| 10/6 | 板谷（Ｍ２） | Calculation of atom-mixing process at metal/semiconductor interfaces
Metal/semiconductor interfaces are categorized into three groups , interface with random atom mixing , abrupt interface without atom mixing , and interface made of compounds . The origins of such categorization are discussed . |
| 10/13 | 梶田（Ｄ１） | |
| 11/17 | 寺嶋（吉川研） | InNについてのお話 |
| 11/30 | 石井（Ｄ２） | カゴメ格子の電気伝導特性の外部電場依存性 フラットバンドをもつカゴメ格子を流れるバリスティックな電気伝導性を調べた。 その結果、カゴメ格子にかける外部電場の向き、強さによってフラットバンドを流れる電流が大きく変化することを示し、 その機構について議論した。 |
| 12/22 | 武井（Ｍ１） | |
| 1/13 | 板谷（Ｍ２） | 金属半導体界面における混晶化現象の化学的傾向に関する第一原理計算 |
| 1/26 | 鮎田、和泉、仁井（Ｂ４） | 卒業研究の内容について |
| 2/2 | 板谷（Ｍ２） | 修士論文発表練習 |
| 3/17 | 梶田（D１） | |